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4000A功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六
普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。
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产品特点
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高电压：支持高达3KV高电压测试；
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大电流：支持高达4KA大电流测试；
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高精度：支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量；
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丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
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配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
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数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
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模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
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可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
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可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；
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技术指标
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PMST系统配置 |
关键参数 |
备注 |
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P系列 |
PW高达30V/10A、300V/1A |
栅极特性测试 |
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CW高达300V/0.1A、30V/1A |
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最小脉冲宽度200uS |
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HCP系列 |
PW高达30V/100A |
IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压测试 |
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CW高达10V/30A |
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最小分辨率30uV/10pA |
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最小脉冲宽度80uS |
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HCPL系列 |
单台PW高达12V/1000A，可多台并联 |
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最小脉冲宽度50uS |
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E系列 |
CW高达3000V/100mA |
IGBT击穿电压测试 |
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最小分辨率10mV/100pA |
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测量精度 0.1% |
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电桥 |
频率范围：20Hz~1MHz |
IGBT各级间电压测试 |
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HVP系列提供0~400V直流偏置电压 |
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预置偏置电阻100kΩ |
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矩阵开关 |
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电路切换及源表切换 |
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主机 |
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测试夹具 |
根据器件封装形式定制 |
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产品应用
功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；
