点击图片查看原图
您还没有登录，请登录后查看联系方式
客服热线：0551-62672521 业务咨询：0551-62672521 邮箱：2268263116@qq.com
媒体合作： 
在线客服：
Copyright (c) 2012 机电产品交易网 . 版权所有 皖ICP备12004440号-2
随着行业技术革新和新材料性能发展，功率半导体器件结构朝复杂化演进，功率半导体的衬底材料朝大尺寸和新材料方向发展。以SiC（碳化硅)、GaN(氮化镓)为代表的第三代宽禁带半导体材料迅速崛起，它们通常具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、高温稳定性以及可承受大功率等特点，使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力。
不同材料、不同技术的功率器件的性能差异很大。市面上传统的测量技术或者仪器仪表一般可以覆盖器件特性的测试需求。但是宽禁带半导体器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化镓)的技术却极大扩展了高压、高速的分布区间，如何精确表征功率器件高流/高压下的I-V曲线或其它静态特性，这就对器件的测试工具提出更为严苛的挑战。
静态参数主要是指本身固有的，与其工作条件无关的相关参数。静态参数测试又叫稳态或者DC（直流）状态测试，施加激励(电压/电流)到稳定状态后再进行的测试。主要包括：栅极开启电压、栅极击穿电压、源极漏级间耐压、源极漏级间漏电流、寄生电容(输入电容、转移电容、输出电容),以及以上参数的相关特性曲线的测试。
围绕第三代宽禁带半导体静态参数测试中的常见问题，如扫描模式对SiC MOSFET 阈值电压漂移的影响、温度及脉宽对SiC MOSFET 导通电阻的影响、等效电阻及等效电感对SiC MOSFET导通压降测试的影响、线路等效电容对SiC MOSFET测试的影响等多个维度，针对测试中存在的测不准、测不全、可靠性以及效率低的问题，普赛斯仪表提供一种基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，具有更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力。详询一八一四零六六三四七六
系统特点
高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）；
大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；
高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；
丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；
系统参数
|
项目 |
参数 |
|
|
集电极-发射极 |
Z大电压 |
3500V |
|
Z大电流 |
6000A |
|
|
精度 |
0.10% |
|
|
大电压上升沿 |
典型值5ms |
|
|
大电流上升沿 |
典型值15us |
|
|
大电流脉宽 |
50us~500us |
|
|
漏电流测试量程 |
1nA~100mA |
|
|
栅极-发射极 |
Z大电压 |
300V |
|
Z大电流 |
1A(直流)/10A(脉冲) |
|
|
精度 |
0.05% |
|
|
Z小电压分辨率 |
30uV |
|
|
Z小电流分辨率 |
10pA |
|
|
电容测试 |
典型精度 |
0.5% |
|
频率范围 |
10Hz~1MHz |
|
|
电容值范围 |
0.01pF~9.9999F |
|
|
温控 |
范围 |
25℃~150℃ |
|
精度 |
±1℃ |
|
测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
